收藏本站
100
100
T C = 25 ℃ ━━
T C = 100 ℃ ------
V R = 200V
I F = 25A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 100 ℃ ------
10
10
1
1
0
1
2
3
100
1000
Forward Voltage Drop, V FM [V]
Fig 18. Forward Characteristics
1000
V R = 200V
di/dt [A/us]
Fig 19. Reverse Recovery Current
120
V R = 200V
800
600
400
200
0
100
I F = 25A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 100 ℃ ------
1000
100
80
60
40
20
100
I F = 25A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 100 ℃ ------
1000
di/dt [A/us]
Fig 20. Stored Charge
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
di/dt [A/us]
Fig 21. Reverse Recovery Time
SGH30N60RUFD Rev. B1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SGH40N60UFDTU IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P
SGH40N60UFTU IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P
SGH80N60UFDTU IGBT HI PERFORM 100V 28A TO-3P
SGH80N60UFTU IGBT HI PERFORM 00V 40A TO-3P
SGL160N60UFDTU IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264
SGL50N60RUFDTU IGBT 80A 600V W/DIODE TO-264
SGP10N60RUFDTU IGBT W/DIODE 600V 10A TO-220
SGP23N60UFDTU IGBT W/DIODE 600V TO-220
相关代理商/技术参数
SGH30N60RUFTU 功能描述:IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGH40N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGH40N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGH40N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGH40N60UFDM1TU 功能描述:IGBT 晶体管 600V/20A/WFRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGH40N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGH40N60UFTU 功能描述:IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGH5N120RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT